JBX-6300FS 电子束光刻系统 电子束光刻装置
JBX-6300FS的电子光学系统在100kV的加速电压下能自动调整直径为(计算值)2.1nm的电子束,简便地描画出线宽在8nm以下(实际可达5nm)的图形。此外,该光刻系统还实现了9nm以下的场拼接精度和套刻精度,性能比优越。利用最细电子束束斑(实测值直径≦2.9nm)可以描画8nm以下(实际可达5nm)极为精细的图形。
分享:
MORE VIEW

JBX-6300FS的电子光学系统在100kV的加速电压下能自动调整直径为(计算值)2.1nm的电子束,简便地描画出线宽在8nm以下(实际可达5nm)的图形。


此外,该光刻系统还实现了9nm以下的场拼接精度和套刻精度,性能比优越。


利用最细电子束束斑(实测值直径≦2.9nm)可以描画8nm以下(实际可达5nm)极为精细的图形。本公司独特的DF/DS系统能对电子束偏转产生的畸变进行校正,具有球差和象散自动补偿功能,可在场边角、场边界处进行高精度地描画。


该系统采用了19位DAC和样品台控制精度为0.6nm的激光干渉仪,实现了业界最高水准的位置精度、拼接、套刻精度(±9nm)。 可用于位置精度要求很高的光子器件、通信设备等领域的研究和开发。


自动补偿可以根据时间(任意的)、场和图形进行分别设定,非常适合于周末及休假等无人值守等情况下的长时间描画。


最大扫描速度高达50MHz,再加上最大程度地抑制了机器的准备操作时间,因此缩短了描画时间,到描画开始为止的作业非常简单,聚焦也能够自动进行,因而能提高总产出量。


使用自动装载系统(选配),最多可以连续描画10个样品架。(例:可连续描画10张6英寸的晶圆片或者40张2英寸的晶圆片等。※连续描画时,需要和材料数相应的样品架。)目前在日本国内外已有这样的生产线。


利用微间距控制程序(场尺寸精调程序),可以制作DFB激光器等的啁啾光栅。

电子枪 ZrO/W 肖特基型
描画方式 描画方式
加速电压 25kV (选配), 50kV, 100kV
样品尺寸 最大200mmΦ的晶圆片, 最大 5英寸或 6英寸的掩模版, 任意尺寸的的微小样品。
样品尺寸 2000μmX2000μm
样品台移动范围 190mmX170mm
套刻精度 ≦±9nm
场拼接精度 ≦±9nm
扫描速度 最大 50MHz
产品系列
Copyright © 苏州赛非特电子科技有限公司 版权所有 技术支持:网站维护 备案号:苏ICP备18062909号-1